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半導體清洗機濕式清洗制程中，主要應用項目包含晶圓清洗與濕式蝕刻兩項，晶圓(濕式)清洗制程主要是希望藉由化學藥品與清洗設備，清除來自周遭環境所附著在晶圓表面的臟污，以達到半導體組件電氣特性的要求與度。清洗安全操作規范：(1)有機廢液和無機廢液要回收嚴格分開，放入不同密封箱里；(2)丙酮、異丙醇和去膠液的溫度已經固定，不得隨意更改。如確有需要，向領班匯報，等待上級批準；(3)硫酸和雙氧水混合溶液一定要等到冷卻到30°C以下才能回收；(4)溶液配制或回收時，濺到操作臺上的溶液一定要用水沖干凈，再用氮氣*槍吹干，保持工作臺的清潔、干凈。在半導體濕式清洗制程中，晶圓(濕式)清洗制程主要是希望藉由化學藥品與清洗設備，清除來自周遭環境所附著在晶圓表面的臟污，以達到半導體組件電氣特性的要求與度。過去RCA多槽濕式清洗一直是晶圓清洗的主要技術，不過隨著近年來制程與清洗設備的演進，不但在清洗制程中不斷產生新的技術，也隨著半導體后段封裝技術的演進，清洗設備也逐漸進入封裝廠的生產線中。
