清洗的注意事項:(1)關機重啟后,時間間隔1分鐘以上,否則可能會造成電氣損壞;(2)設備運行中,注意去離子水流量不得超過允許值,否則可能由于排放受阻而造成機器損壞;(3)每次運行完畢后取出片子時,注意卡塞口朝上,糾正后再取出,否則片子會掉出來;(4)一旦發現水路的關聯件出現“漏水”、“滴水”現象應立即關機,檢修后再運行。氨水加氧化劑清洗液氨水加氧化劑清洗液配方為:NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶10∶10~1∶20∶20,溫度為25~40℃,時間10~30min。由于這種清洗液具有堿性、氧化性和絡合性,可以發生氧化反應、產生微蝕刻作用,以達到去除表面顆粒的目的,可以去除一些有機污染物及部分重金屬離子污染物。就清洗媒介來說,濕法清洗仍然是現代先進晶圓清洗工藝的主力。雖然Si技術中的清洗化學材料與初RCA的配方相差不大,但整體工藝明顯的改變包括:采用了非常稀釋的溶液;簡化工藝;廣泛使用臭氧水。