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單晶片清洗：大直徑晶片的清洗采用上述方法不好其清洗過程的完成，通常采用單晶片清洗法，其清洗過程是在室溫下重復利用DI-O3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3）產生氧化硅，稀釋的HF蝕刻氧化硅，同時清除顆粒和金屬污染物。隨著微粒和金屬污染的數量級逐漸減小，以及對這方面的污染控制非常有效，現在更多注意的是有機污染和表面狀態相關問題。用簡單的燈清洗法可以把有機污染從Si表面除去。此外，應特別注意溶解在水內和氣相的臭氧在控制有機污染中的作用。清洗的注意事項：(1)設備運行時，腔體內必須放卡塞,否則由于平衡破壞造成設備損壞或精度降低；(2)晶片必須均勻放置在卡塞內，盡量首尾重力平衡；(3)卡塞放置在腔體內時，片子正面應朝向觀察窗一側；(4)設備運行中不得試圖打開密封門蓋，否則會造成人體傷害或機器損壞。
