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基于APM（NH4OH:H2O2:H2O）的化學材料在微粒去除方面仍占主宰地位，但如果沒有兆頻超聲波強化，其作用就不是很有效。基于初RCA（HPM：HCl:H2O2:H2O）配方的去除金屬的化學材料差不多都放棄了。與潔凈得多的抗蝕劑和化學材料結合在一起的創(chuàng)新化學是在這一領域成功的關鍵。此外，幾何圖形非常密集的器件制造的污染控制也推動了各種創(chuàng)新技術的研發(fā)，例如包括超臨界CO2（SCCO2）清洗。隨著微粒和金屬污染的數(shù)量級逐漸減小，以及對這方面的污染控制非常有效，現(xiàn)在更多注意的是有機污染和表面狀態(tài)相關問題。用簡單的燈清洗法可以把有機污染從Si表面除去。此外，應特別注意溶解在水內(nèi)和氣相的臭氧在控制有機污染中的作用。RCA清洗法：初，人們使用的清洗方法沒有可依據(jù)的標準和系統(tǒng)化。1965年，RCA（美國無線電公司）研發(fā)了用于硅晶圓清洗的RCA清洗法，并將其應用于RCA元件制作上。該清洗法成為以后多種前后道清洗工藝流程的基礎，以后大多數(shù)工廠中使用的清洗工藝基本是基于初的RCA清洗法。
