IGBT,MOSFET,DIODE,高溫柵偏測試設備（HTGB）

型號：ST-HTXB_X系列 

可測試 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的

HTRB（高溫反偏）、HTGB（高溫柵偏）、H3TRB（高溫高濕反偏）

?產品簡述
      該試驗系統是依據 GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 標準要求對器件測試，將柵極與發射極短接，在集電極與發射極間加上設定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值。測試需有傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，并可通過軟件輸入模塊結殼熱阻，結合產生的耗散功率，當溫度與漏電流超過設定值后，切斷電源，給出警告信號。此設備是電力電子器件環境老化測試的重要檢測設備，用于驗證長期穩定情況下器件的漏電流。系統*大測試電壓5000V（可擴展至10KV）。可以實現對IGBT器件集電極-發射極電壓Vce、集電極發射極電流Ices、殼溫Tc 、時間等各項參數的檢測，根據程序設定自動完成測試，記錄保存測試數據并且可以瀏覽和導出。
      測試夾具采用氣動控制單面加熱型。工作時通過溫控儀和其他控制系統設定溫度和時間，具備自動檢測溫度、超溫報警、超壓報警、過流保護及安全連鎖、緊停等功能，異常時切斷主電源

?產品簡述
? 可以通過計算機設定試驗參數（Vce、Ices、Tc、時間、采樣周期）和監控參數（Vce、Ice、Tc、T，實時采集并記錄試驗過程中每個工位的溫度（Tc）、時間、電壓、漏電流等，并可隨時瀏覽數據。
? 當被測器件失效時（Ices超限），系統能自動檢測、報警，并可及時切斷高壓電源（不需要中斷加熱），停止試驗，該失效點的詳細數據會被記錄下來，并記錄失效時間節點。
? 試驗數據保存可以設定保存的時間間隔，設定時間范圍為：10s-600s，但當器件檢測失效時，可以自動保存失效前至少一個采樣時間周期的詳細數據，有助于對器件失效進行分析。
? 該系統采用計算機記錄測試結果，并可以將測試結果轉換為“EXCEL”并保存。
? 安全防護1：該設備具有超溫保護、安全聯鎖等。
? 安全防護2：配備獨立于溫控系統的干觸點超溫保護裝置，在電路的發熱位置配溫度傳感器，一旦有異常超溫現象，發出警報并自動切斷設備電源。
? 安全防護3：設備操作門配有安全連鎖開關，操作面板配置急停開關，保證測試及設備維護時人員安全。

?電氣原理圖
依據GB/T 29332-2012/IEC60747-9:2007 對器件進行測試。原理圖如下所示

      說明：將被測IGBT柵極與發射極短接，在集電極與發射極間加上設定的直流電壓，同時檢測直流電壓與漏電流的值，輸出給隔離板并反饋給計算機，來顯示實時的電壓和電流值。測試過程中有溫度傳感器直接檢測 IGBT 模塊殼溫，通過模擬隔離板后反饋給計算機實時溫度。
      其中，被測兩端的電壓可以通過計算機程序控制輸出給高壓直流電源。漏電流和溫度的保護值可以通過計算機程序設定，如達到設定保護值，設備控制系統保護，并通過計算機程序主頁面下的故障顯示和面板保護指示燈顯示。

?參數指標

產品系列
晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統
靜態測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件