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斯納達(dá)擁有完整的植球工藝，特別是對TI系列PAD內(nèi)凹封裝芯片植球有獨到的工藝，如4430FCB13(OMAP4430) X4460BCBS(OMAP4460)等MP4CPU芯片，完美地解決了小間距POP芯片植球難題，目前在國內(nèi)外處在地位。
植球工藝寶典：
A、步，要分清IC是有鉛還是無鉛工藝，否則IC污染后達(dá)不到RoHS要求，造成的后果極為嚴(yán)重；
B、第二步，植球前要做好烘烤，IC的封裝材料一般為塑料或陶瓷，在室溫下容易吸潮，如果在植球前沒有烘烤，極易導(dǎo)致IC分層損壞芯片，行業(yè)俗稱“爆米花”現(xiàn)象；
C、植球后，焊接要根據(jù)錫球的化學(xué)成份，設(shè)置好相應(yīng)的溫度，否則容易造成植球不牢、不直、球不圓等不良現(xiàn)象；
3.1、有鉛錫球（Sn63Pb37，錫63%鉛37%）熔點183℃。
3.2、無鉛錫球（Sn96.5AG3Cu0.5，錫96.5%銀3%銅0.5%）熔點217℃。
D、植好球的IC一般要做短時間的烘烤，以去除IC表面吸附的濕汽，烘烤完成后要及時放入防潮箱、真空包裝或卷帶包裝，以免回潮導(dǎo)致IC貼裝時分層損壞IC；
注意事項：用風(fēng)槍直接加熱時，注意調(diào)整風(fēng)槍溫度，首先要對鋼網(wǎng)整面均勻加熱。否則會造成鋼網(wǎng)變形，影響植球質(zhì)量。
