名片曝光使用說明

步驟1:創建名片

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步驟2:投放名片

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交流阻斷(或反偏)耐久性試驗是在一定溫度下,對半導體器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規定的時間,從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。        

一般情況下,此項試驗是對器件在結溫(Tjm ℃)和規定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下,進行規定時間的 試驗,并根據抽樣理論和失效判定依據,確認是否通過, 同時獲取相關試驗數據。       

該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。可供半導體器件配以適當的溫度可控裝置, 作交流阻斷(或反偏)耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反偏耐久性試驗、高溫漏電流測試(HTIR)和老煉篩選。

系統組成

漏電流保護回路 

在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲,當試品在試驗期內發 生劣化或突然擊穿或轉折,保險絲將熔斷,設備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警,同時蜂鳴器報警提示。

試驗電壓保護回路

試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元,通過峰保器輸出與電 壓設定值比較,當試驗電壓高于電壓保護設定值時,過壓報警器響, 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。

高壓回路

由電源開關、控制繼電器、自藕調壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成,產生規定的試驗電壓并通過組合高壓線排,接入試品工位。

電特性參數測試回路  

試驗電壓由電壓取樣回路,經采集、保持 電路送到設備的數字電壓表顯示;

試品漏電流對每一試品漏電流獨立采樣,通 過設備上的波段開關分別進行轉 換,傳送到數字電流表顯示。

技術指標

試驗電壓 VDRM.VRRM/VRRM   300V ~ 4000V 連續可調, 50HZ工頻

試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM   1.0 mA ~200.0mA

試驗溫度 室溫~150℃;溫度均勻性125℃±3℃; 溫度波動度±0.5℃

試驗工位 10工位

試驗容量 80×16=1280位

加電方式

器件試驗參數從器件庫中導入,ATTM自動加電試驗 方式,可單通道操作;老化電源可根據設定試驗電壓 和上電時間程控步進加載


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