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概述
EN-2005C測試系統(tǒng)通過PC機對其內(nèi)部功率源、測試施加條件、測試具體線路進行控制，達到對器件進行測試的目的。在一定的測試條件下，這些源與條件負載按照條件準(zhǔn)確的連接，其中包含了大量的負載、轉(zhuǎn)換功率源和所要求的外部測試線路。
測試系統(tǒng)特點
IV曲線顯示/局部放大，程序保護電流/電壓,以防損壞，品種繁多的曲線，可編程的數(shù)據(jù)點對應(yīng)，增加線性或?qū)?shù)，可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱，保存和重新導(dǎo)入入口程序，保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象，曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL，曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入EXCEL，程序保護電流/電壓,以防損壞，測試范圍廣（19總大類，27分類）
系統(tǒng)規(guī)格及技術(shù)指標(biāo)
主極電壓： 1mV-2000V
電壓分辨率： 1mV
主極電流： 0.1nA-50A
擴展電流： 100A
電流分辨率： 0.1nA
測試精度： 0.2%+2LSB
測試速度： 0.5mS/參數(shù)
工作溫度： 25℃--40℃
工作濕度： 45%--80%
貯存濕度： 10%--90%
工作電壓： 200v--240v
電源頻率： 47HZ--63HZ
通信接口： RS232 USB
系統(tǒng)功耗： <150w
設(shè)備尺寸： 450mm×570mm×280mm
質(zhì) 量： 35KG
測試范圍
二極管DIODE，晶體管（NPN型/PNP型），J型場效應(yīng)管J-FET，MOS場效應(yīng)管 MOS-FET雙向可控硅TRIAC，可控硅SCR，絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT，硅觸發(fā)可控硅STS
達林頓陣列DARLINTON，光電耦合OPTO-COUPLER，繼電器RELAY，穩(wěn)壓、齊納二極管ZENER三端穩(wěn)壓器REGULATOR，光電開關(guān)OPTO-SWITCH，光電邏輯OPTO-LOGIC，金屬氧化物壓變電阻MOV，固態(tài)過壓保護器SSOVP，壓變電阻VARISTOR，雙向觸發(fā)二極管DIAC
