ENX2020  雪崩耐量測試系統

概述

向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用場合，電路關斷時會產生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極高的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測試系統，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統、雪崩電壓采集系統、雪崩電流采集系統、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據客戶需求）等多個部分。

規格/環境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺    寸：800x800x1800mm

質    量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

系統功耗：320W

通信接口：USB RS232

技術指標

配置 測試范圍 測試參數 條件 范圍

電壓

1000V IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V-4500V 20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A MOSFETs

MOS場效應管 EAR/重復脈沖雪崩能量 Ic 1mA-200A 1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

DIODEs

二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J-2000J 1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測 50mV/A（取決于傳感器）

感性負載 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

重復間隙時間 1-60s可調（步進1s）重復次數：1-50次