產品分類 更多>>
深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售磁控濺射用的靶材。中頻磁控濺射對靶和磁場的設計以及工作氣壓要求很高，中頻磁控濺射是直流磁控濺射沉積速率的2到3倍。中頻磁控濺射是兩個靶工作，制備化合物膜層，由于其離化率低很難找到一個的中毒點，對工作氣體的流量控制要求很嚴格。若控制不好則很難制備均勻和結合力好的膜層。再就是磁場的設計主要是磁場分布的均勻性這樣既可以提高靶材的利用率，另外對于中毒點工作時的穩定性也有很大提高磁控濺射的離子能量和繞射性都遠低于多弧靶面，與工件的距離是很重要的，太近離子對工件的轟擊可以損壞膜層，太遠則偏離了濺射距離制備的膜層結合力很差。日本的科學家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。采川這樣的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率達到8．1×10n-cm，接近的ITO薄膜的電阻率。FPD和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬度甚至可以達到3133_，為了提高靶材的利用率，開發了不同形狀的ITO靶材，如圓柱形等。2000年，發展計劃委員會、科學技術部在《當前優先發展的信息產業重點領域指南》中，ITO大型靶材也列入其中。深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產銷售的靶材應用于平板顯示與觸控行業。
