化學氣相沉積設備報價 NRP-4000 反應離子刻蝕（RIE）/等離子增強化學氣相沉積（PEVCD）雙系統一體機 一、NRP-4000系統應用： 該系統是我們專門為R&D環境提供的一種更經濟有效的雙功能方案(RIE/PECVD)用于不同的應用，替代購買兩套獨立的系統。雙系統一體機可以極大的節省實驗室的空間和成本。該系統通過共用渦輪分子泵組以及兩個腔體之間的門閥，還有計算機控制系統，以及有些部分的MFC等核心組件的共用，節省成本。用戶可通過計算機控制軟件選擇RIE或PECVD,用戶針對應用在不同的腔體中放置相應的樣片即可通過計算機軟件控制并自動完成整個工藝。 此雙系統設備支持所有的RIE刻蝕應用和PECVD沉積應用。 二、NRP-4000雙系統概述： 在PECVD一側我們可以沉積非晶硅、氧化硅和氮化硅，在RIE一側可以刻蝕氧化硅和氮化硅（當然可以根據使用不同的工藝氣體達到不同的應用）。 在RIE一側具有一些獨特的性能：基于PC計算機全自動的工藝控制而確保優越的可重復性，并且獨特的樣品臺冷卻技術防止RF射頻泄漏，從而不會產生業內其它系統所發生的那樣自偏壓的下降和偏離。 過去的設計中PECVD一側的14“不銹鋼立方腔體。最近，我們已經改變腔體的設計為13”陽極氧化鋁腔體（如RIE腔體），這是我們更新的設計并且減少了淋浴頭等離子源和樣品臺之間的間距，并在晶圓上取得了最佳的均勻度。請參考附上的工藝數據。在數據中可以看到我們可以在200度左右的溫度下沉積氧化硅和氮化硅。我們為反應氣體提供了氣體環，使得生長的薄膜具有更出色的化學計量比。 在RIE一側，我們也可以提供額外的離子源-淋浴頭RF等離子源用于等離子各向同性刻蝕。系統也具備RF電源從等離子源切換到RIE端用于各向異性刻蝕的能力。另外額外的選項也可以被加入到系統中，比如ICP離子源，可以實現高速率的刻蝕和沉積，也可以在PECVD側增加低頻模塊用于控制氮化物薄膜的應力，等等。 三、NRP-4000系統產品特點： PECVD部分： - 帶氣體環的等離子源 - 13”圓柱形鋁質，氣動升降頂蓋，便于從頂部放片/取片 - 6”樣品臺，加熱到400oC，PID控溫，可以處理到6”或以下的晶圓片 - 4個MFC（5%SiH4/Ar,?N2O,?NH3, He，可增加）并從RIE端共享Ar和O2 ,工藝結束后N2自動吹掃 - 雙真空計配置，MKS Baratron工藝真空計及Edwards廣域真空計 RIE部分： - 淋浴頭均勻的氣體分布 - 13”圓柱形鋁質，氣動升降頂蓋，便于從頂部放片/取片 - 6”偏壓陽極氧化鋁樣品臺，帶暗區保護，循環冷卻水冷卻 - 4個MFC（CF4，C4F8，O2，Ar，可增加）,工藝結束后N2自動吹掃 - N2卸壓的MFC氣體保護箱，帶獨立氣莢 - 雙真空計配置，MKS Baratron工藝真空計及Edwards廣域真空計 共同部分： - 獨立式不銹鋼立柜系統，占地面積28”L x 42”W x 44”H - 帶Lab View軟件的觸摸屏計算機全自動的工藝控制 - 600W RF離子源電源帶自動調諧器，用于RIE樣品臺和PECVD等離子源，自動切換 - 2個6”門閥用于隔離腔體 - 抽速為260l/sec的普法HiPace300渦輪分子泵，串接Edwards RV8機械泵 - 兩個腔體的極限真空5x10-7Torr，20分鐘內達到10-6Torr級別 - 通過控制渦輪速度實現下游壓力全自動控制 那諾中國有限公司|||化學氣相沉積設備報價