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場發(fā)射SEM EDS掃描電鏡
是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。樣品表面加一個強(qiáng)電場，樣品表面勢壘降低，由于隧道效應(yīng)，樣品金屬內(nèi)部的電子穿過勢壘從金屬表面發(fā)射出來，這種現(xiàn)象稱場發(fā)射。亮度高約比普通SEM高100倍，分辨率可達(dá)10nm.
2. FE-SEM EDS掃描電鏡能譜應(yīng)用
材料，粉體，礦物粒徑大小，表面斷面形貌分析, 填料分散狀態(tài)復(fù)合材料結(jié)構(gòu), 材料晶型分析晶粒大小,材料物相分析。元素定性分析。
3.適用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 16594-2008微米級長度的掃描電鏡測量方法通則
GB/T 17362-2008 黃金制品的掃描電鏡X射線能譜分析方法
4.送樣要求
粉狀樣品1-5g之間，能把3-5mm直接樣品填滿即可。塊狀樣品不能大于5mm寬，高度小于5mm.
