低損耗射頻電容的優(yōu)點:
在所有射頻電路設(shè)計中，選用低損耗（超低ESR）片狀電容都是一項重要考慮。以下是幾種應(yīng)用中低損耗電容的優(yōu)點。在手持便攜式發(fā)射設(shè)備的末級功率放大器內(nèi)使用低損耗電容作場效應(yīng)晶體管源極旁路和漏極耦合，可以延長電池壽命。ESR高的電容增加I2ESR損耗，浪費電池能量。
使用低損耗電容產(chǎn)品使射頻功率放大器更容易提高功率輸出和和效率。例如，用低損射頻片狀電容作耦合，可以實現(xiàn)最大的放大器功率輸出和效率。對于目前的射頻半導(dǎo)體設(shè)備， 例如便攜手持設(shè)備的單片微波集成電路，尤其是如此。許多這種設(shè)備的輸入阻抗極低，因此輸入匹配電路中電容的ESR損耗在全部網(wǎng)絡(luò)的阻抗中占了很大的百分比。如果設(shè)備輸入阻抗是1歐姆而電容ESR是0.8歐姆，約40％的功率將由于ESR損耗而被電容消耗掉。這將減低效率和輸出功率。
高射頻功率應(yīng)用也需要低損耗電容,這方面的典型應(yīng)用是要使一個高射頻功率放大器和動態(tài)阻抗相匹配。例如半導(dǎo)體等離子爐需要高射頻功率匹配，設(shè)計匹配網(wǎng)絡(luò)時使用了電容。負(fù)載從接近零的低阻抗大幅度擺動到接近開路，導(dǎo)致匹配網(wǎng)絡(luò)中產(chǎn)生大電流，使電容負(fù)荷劇增。這種情況使用超低損耗電容，例如ATC的100系列陶瓷電容，最為理想。
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