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晶間腐蝕檢測標準有哪些，采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區間的各種試驗溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對材料的晶間腐蝕檢測，能快速了解材料的化學成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區域的腐蝕。
理論上，研制P < = 0.01%，Si<= 0.10%，B<= 0.008%的高純度Cr - Ni奧氏體不銹鋼是解決非敏化晶間腐蝕的最根本措施。
敏化晶間腐蝕發生在焊接構件或在450 ~ 850℃加熱的構件的焊縫熱影響區，在介質的作用下導致這些構件的泄漏或損壞;產生敏化晶間腐蝕的設備和部件的尺寸和形狀幾乎沒有變化，沒有任何塑性變形;除腐蝕區域外，其他部位無腐蝕跡象，仍有明顯的金屬光澤;局部抽樣檢測表明，腐蝕部位的強度和塑性已嚴重喪失。冷彎時，不僅有裂紋，還有脆性斷裂和顆粒脫落，地面上沒有金屬聲。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
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