可控硅/晶閘管
半導體放電管P0080SA P0080SAMCLRP SIDAC, 6V
THYRISTOR 6V 150A DO214AA P0080SALRP
P0080TA
低電容信號線防雷器件,
RS485總線端口防雷無干擾TSS管P0080TA在RS485/232防護方案中的應用
產品分類 | 半導體放電管（TSS） 過壓保護護器件 |
安裝類型 | 表面貼裝(SMT) |
峰值斷態電壓 V(DRM) | 6V |
峰值斷態漏電流 I(DRM) | 5uA |
擊穿/轉折電壓（Vs） | 25V |
通態開關電流 Is(@Vs) | 800mA （Max） |
通態電壓 Vt(Max) | 4V |
通態電流 It(Max) | 2.2A |
通態維持電流（IH） | 50mA |
峰值脈沖電流（Ipp） | P0080TA 35A @10/1000uS P0080SA 150A @10/1000uS P0080SA 150A @10/1000uS DO-214AA，SMB |
結電容值 | P0080TA 50pF（Max） P0080SA 150pF （Max） |
封裝/外殼 | P0080TA DO-214AC(SMA) P0080SA DO-214AA(SMB) |
半導體放電管在RS485總線端口應用：
1：GDT浪涌擊穿電壓較高，這就意味著后面的電阻值比較大。這可能會影響傳輸距離減少。2：TVS的漏電流和寄生電容都較高，以SMBJ6.0CA來講大致在800uA左右，TVS寄生電容較大，這樣會對點對點通訊有干擾，導致傳輸距離變短，信號衰減較大。3：PPTC的響應速度較慢，因此在電力塔接時，可能會造成TVS被交流擊穿
TVS是半導體保護器件，具有響應速度快，可靠性高的優點。但它是Clamping保護模式。其殘壓會比較高而我們的Sidactor作為半導體器件同樣具有響應速度快，可靠性高的優點。但它是Crowbar保護模式。其導通以后保持電壓低，同時還具有抗浪涌能力強，耐搭接能力強特點。
使用Sidactor的RS-485的保護方案。
當雷擊發生時，Sidacto P0080作為共模/差模防護，通常Sidactor可以承受800A（8x20us）浪涌沖擊。到收發器的電壓被保制在4V左右，當RS-485總線與電力線（例如220VAC）搭接短路時。A/B線上的PPTC可以提供短路保護。
