P61089B主要應用于程控交換機等通訊設備的B二級過電壓防護。保護SLIC免遭瞬態過電壓沖擊。正向過載由兩個二極管來控制，負向浪涌由兩個晶閘管抑制，晶閘管的動作電壓與門極電壓-VBAT有關。
該器件有非常低的門極觸發電流（IGT）以減少電路工作時的損耗。該器件不會老化，并提供短路故障安全模式，以實現更好的保護。
P61089B芯片
主要特征
●雙編程瞬態抑制
●負壓范圍寬：VMGL=-167VMAX
●維持電流：IH>150mA
●絲印：61089B
●動態開關電壓低：VFP和VDGL
●門極觸發電流低：IGT=5mA
●峰值脈沖電流：IPP=50A（10/700μs）
●封裝：SOP8
10/700波形實際浪涌等級達到3.2KV，可控硅端殘壓典型值為320V，二極管端殘壓典型值為9.6V。
8/20波形實際浪涌等級達到250A，可控硅端殘壓典型值為306V，二極管端殘壓典型值為14.6V
P61089雷擊浪涌測試
1、 芯片參數要求：
產品型號 //芯片代碼 | ICBO@ 240V | BVCE2 @IC= 10uA | IDRM @VDS= 170V | BVEB@IE= 10uA | IEB @VEB=167V | IGT | VFEC @IE= 1mA | VGT @VAK= 12V |
uA max | V min | uA max | V min | uA max | mA (max) | V(max) | V(max) | |
P61089B | 1 | 170 | 1 | 167 | 1 | ≤5 | 1.0 | 2.5 |
