半導體激光器通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質的能帶與雜質（受主或施主）能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種：電注入式、電子束激勵式和光泵浦激勵式。電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質，通過由外部注入高能電子束進行激勵。光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它激光器發出的激光作光泵激勵。
以上是半導體激光器原理介紹，大家可以了解一下。半導體激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、激光醫療、激光測距、激光雷達、自動控制、檢測儀器等領域得到了廣泛的應用。
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