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華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀
華科智源大功率IGBT測試系統設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用。可以根據就用戶需求進行定制。華科智源專業提供動態參數測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統。
3技術要求
3.1整體技術指標
3.1.1 功能與測試對象
1）功能
華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀，測試單元具備測試IGBT模塊動態參數測試。具體測試參數及指標詳見表格4~11。
2）測試對象
被測器件主要IGBT模塊。
3.1.2 IGBT模塊動態測試參數及指標
華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀，測試單元對IGBT模塊和FRD的動態參數及其他參數的定義滿足國際標準.
以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。
1）圖2 IGBT開通過程及其參數定義動態測試參數
IGBT的開通和關斷波形及其相關參數的定義如圖2、圖3所示。
圖2 IGBT開通過程及其參數定義
圖3 IGBT關斷過程及其參數定義
表格2 可測量的IGBT動態參數
參數名稱 | 符號 | 參數名稱 | 符號 |
開通延遲時間 | td(on) | 關斷延遲時間 | td(off) |
上升時間 | tr | 下降時間 | tf |
開通時間 | ton | 關斷時間 | toff |
開通損耗 | Eon | 關斷損耗 | Eoff |
柵極電荷 | Qg | ||
短路電流 | ISC | / | / |
可測量的FRD動態參數
參數名稱 | 符號 | 參數名稱 | 符號 |
反向恢復電流 | IRM | 反向恢復電荷 | Qrr |
反向恢復時間 | trr |
圖2 IGBT開通過程及其參數定義動態測試參數指標
表格4 IGBT動態測試參數指標
主要參數 | 測試范圍 | 精度要求 | 測試條件 |
Vce 集射極電壓 | 50～1500V | 200～500V±3%±1V； 500～1000V±2%±2V； 2000～1500V±1%±5V； | 200～1500V |
Ic 集射極電流 | 50～1000A | 200～500A±3%±1A； 500～1000A±3%±2A； 1000A～4000A±2%±5A； | 200～1000A |
3.1.4華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀保護安全功能
本測試單元應具備完善的保護功能，除可有效保護操作人員不受事故傷害外，還在發生故障時不會造成設備自身的較大損壞，通過采取更換小型部件的方式即可修復。保護功能包括但不限于如下功能：
l *高壓測試前可選低壓預測試驗證系統安全及連接良好
l *完備的人身安全防護
l 測試結束電容自動放電
l 測試過程中短路保護（非短路測試）
l *被測器件防爆保護
3.3主要技術要求
3.3.1 華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀動態參數測試單元技術要求
3.3.1.1 環境條件
1) 海拔高度：海拔不超過1000m；
2) 溫度：儲存環境溫度 -20℃～60℃；
3) 工作環境溫度： -5℃～40℃；
4) 濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；
5) 震動：抗地震能力按7級設防，地面抗震動能力≤0.5g；
6) 防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；
3.3.1.2華科智源大功率IGBT測試系統，IGBT動態參數測試儀
華科智源大功率IGBT測試系統設備主要針對IGBT及MOS管的測試儀，適用于芯片設計，產線封裝測試及新能源汽車，風力發電，地鐵交通等領域的大功率器件及模塊測試，設備模塊化程度高，測試穩定性及測試精度在客戶端已經廣泛使用。可以根據就用戶需求進行定制。華科智源專業提供動態參數測試|IGBT測試儀|雪崩能量測試儀|IPM測試儀|分立器件測試系統。
