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品牌
WY
型號
NTD24N06LT4
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
其他
導電方式
耗盡型
用途
L/功率放大
封裝外形
SMD(SO)/表面封裝
材料
N-FET硅N溝道
Power MOSFET 24 A, 60 V, Logic Level N-Channel
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導通電阻: 36 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 15 V
小工作溫度: - 55 C
較大工作溫度: 175 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
下降時間: 52 ns
正向跨導 - 小值: 19 S
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
Pd-功率耗散: 62.5 W
上升時間: 97 ns
系列: NTD24N06L
工廠包裝數量: 2500
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 9.4 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 4 g
