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制造商: | Vishay | |
產品種類: | MOSFET | |
RoHS: | 詳細信息 | |
商標: | Vishay Semiconductors | |
Id-連續漏極電流: | 19 A | |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 40 V | |
Rds On-漏源導通電阻: | 9 mOhms | |
晶體管極性: | N-Channel | |
Vgs-柵源極擊穿電壓 : | 20 V | |
較大工作溫度: | 150 C | |
Pd-功率耗散: | 6 W | |
安裝風格: | SMD/SMT | |
封裝 / 箱體: | SOIC-Narrow-8 | |
封裝: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | Single | |
下降時間: | 10 ns | |
小工作溫度: | - 55 C | |
上升時間: | 12 ns, 15 ns | |
工廠包裝數量: | 2500 | |
典型關閉延遲時間: | 25 ns, 30 ns | |
典型接通延遲時間: | 25 ns, 10 ns | |
零件號別名: | SI4840BDY-E3 |
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