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和 GTO及IGCT相比，IGBT 傳導損失相對較高，關斷損失則較低。 因此，優化的IGBT開關頻率與相同額定的GTO和IGCT相比而言是很高的。
無保護網（“緩沖器”）也可使用IGBT, 因而可以使極為簡單的系統拓撲學化。這種簡化會導致這樣一個結果：大部分的系統損失會在硅中消散因此通過熱約束減少較大開關功率。
所有IGBT的特性是它有能承受短路（高電流和高電壓在裝置中同時交叉)的能力。短路時，能通過IGBT到達裝置設計的水平的電流時有限的。僅有門控制又不對裝置造成性損傷在10微秒內安全的關閉短路是不可能的。
IGBT 由1 cm2的半導體芯片構成。與之相匹配的二極管一同，IGCT 被做成不同的模塊，電和機械的裝置以及各種電額定。
