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HRMS-800 高溫四探針測量系統(tǒng)
http://www.partulab.com/gwstz/hrms800gws.html
咨詢電話：400-600-9734
■ 功能特點
■ 可以實現(xiàn)高溫、真空、氣氛等條件下測量薄膜方塊電阻;
■ 可以實現(xiàn)常溫，變溫，恒溫條件的 I-V、R-T、R-t等測量功能;
■ 可以通過輸入樣品的面積和厚度，軟件自動計算樣品的電阻率ρv;
■ 可以分析電阻率ρv與溫度T的變化的曲線;
■ 可以與Keithley 2400或2600數(shù)字多用表配套;
為了更方便的研究高溫條件下半導體或絕緣材料的導電性能，佰力博科技已經(jīng)研發(fā)出HRMS-800G高溫四探針測量系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻,,該設(shè)備按照單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的，專用于變溫、真空及氣氛條件下測試半導體材料電學性能的測量系統(tǒng)。
■ 技術(shù)規(guī)格
溫度范圍：室溫-600°C 升溫斜率：3°C /min (典型值）
顯示精度：±0.1°C 控溫精度：±1°C
電阻：10～106 Ω 電阻率：10～106 Ω.cm
方塊電阻：10～106 Ω/□ 可測半導體材料尺寸 ：薄膜直徑： Φ15～30mm
探針間距：2±0.01mm 探針壓力: 0～2kg可調(diào),較大壓力約2kg
針間絕緣材料：99陶瓷或紅寶石 針間絕緣電阻：≥1000MΩ
探針材料：碳化鎢 數(shù)據(jù)傳輸：2個USB接口
