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74FST3257 原裝 FSC 2013 13400 SOP
74FST3257Q 原裝 IDT 2013 12022 SSOP
74FST3257QSCX 原裝 NS 2013 1000 SSOP
74FST32XL384PV 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FST3383Q 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FST3384Q 原裝 IDT 2013 3790 SSOP
EUV光刻技術突破意義重大
EUV光刻的導入，將使半導體業界對于10nm工藝制程不再猶豫。
如今，EUV光刻設備取得驚人突破，如果2016年EUV真的能夠進入量產，那將對全球半導體業產生巨大影響。
首先，表明摩爾定律將能持續向10nm及以下制程順利推進。EUV光刻的導入，將使半導體業界對于10nm工藝制程不再猶豫，肯定會采用EUV與193nm浸液式光刻的混合模式，即尺寸更細的采用EUV光刻，有的仍可以采用193nm。另一方面可能讓摩爾定律持續向10nm及以下制程推進，由此半導體產業可能進入一輪新的增長周期。
