AKE的HG106A砷化鎵線性霍爾效應IC采用電子遷移率比硅大5~6倍 的砷化鎵作為器件的半導體材料,而砷化鎵被譽為“半導體材料中的貴族”,原因就是砷化鎵制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能 好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的性和穩定性,更適合用于安全性、速度要求更高的領域(諸如安防、精 密設備制造等)。器件內部集成了電壓調整器,霍爾電壓發生器,線性放大器和射極跟隨器組。HG106A處于零磁場環境是輸出端靜電壓為零,當南極磁場靠近器件表面是,輸出靜電壓隨著磁場強度的增加而線性增加;反之,當南極磁場遠離器件表面時,輸出靜電壓隨著磁場強度的增加而線性遞減。
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