供應士蘭微SD6953外置BJT
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該類方案主要以士蘭微電子AC-DC產品為主控芯片,以手機充電器、DVD電源、DVB適配器及PC電源設計為主要應用方向。主芯片SD484X系列特性。
內置PWM控制電路和高壓功率MOSFET。相對于控制電路和功率MOSFET分立來說,降低了成本,提高了電路的性。
MOSFET的導通電阻較大值規格分別有:16.8歐姆、9.6歐姆、6.0歐姆、4.8歐姆、3.6歐姆。對應的峰值電流較大值為:0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根據實際芯片所需的輸出功率進行選擇。
主芯片具有低功耗、低啟動電流和較低的EMI,較率可以達到80%以上。
啟動電壓和輸出電壓均可調節,目前電路可以提供的功率范圍為:窄電壓范圍5~18W,寬電壓范圍7~21W。
內置的15ms軟啟動電路,減小了主芯片啟動時變壓器的應力。
主芯片的開關頻率為67KHz,振蕩產生的頻率抖動,可以降低EMI。
在待機模式下,主芯片進入打嗝模式,從而有效地降低主芯片的待機功耗。
主芯片內部集成了各種異常狀態保護功能。包括欠壓鎖定,過壓保護,脈沖前沿消隱,過流保護和溫度保護功能。在主芯片發生保護以后,芯片可以不斷自動重啟,直到系統正常為止。
我司長期供應場效應管
1.POWER MOSFE :CS1N60A1H,CS1N60A3H CS1N60A4H CS2N60A3HY,CS2N60A4H CS2N60FA9H CS4N60A3H,CS4N60A4H CS4N60FA9H CS5N60A3H CS5N60FA9H CS5N60A8H CS5N60A4H CS6N60A4H CS6N60A3H CS6N60FA9H,CS7N60FA9H CS7N60A8H,CS8N60FAH CS8N60A8H CS10N60A8H CS10N60FA9H CS12N60FA9H CS12N60A8H CS20N60FA9H CS20N60A8H CS20N60AN CS630,CS634,
CS640,CS730,CS740,CSZ44V,CS75NF75 CS8N60 CS10N60 CS12N60 CS20N60 CS15N60
2、功率開關晶體管: 3DD13001,3DD13002,3DD13003,3DD13005,3DD13007,3DD13009
3、中頻晶體管:3CA8772,3CA882,3DG5551
4、肖特基二極管:2CZ2040,2CZ2045,2CZ3045,2CZ10100,2CZ10200,2CZ20100,2CZ20200 2CZ3045 2CZ30150.MBR2045 BMR3045 MBR10100 MBR10200 MBR20100 MBR3045 MBR30100 MBR30200
可用于電源適配器和充電器的開關電路及LED電源