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F4-50R12MS4 - INFINEONPDF資料
英文描述：
中文描述：IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 70A
技術規格：制造商:Infineon;產品:IGBT Silicon Modules;配置:Quad;集電極—發射極較大電壓 VCEO:1200 V;Continuous Collector Current at 25 C:70 A;較大工作溫度: 125 C;封裝 / 箱體:Econo D;柵極/發射極較大電壓: /- 20 V;小工作溫度:- 40 C;安裝風格:Screw工廠包裝數量: 14
我們公司長期供應：GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅，整流橋模塊，快恢復二極管，場效應及驅動電路.三菱、富士、東芝、三社、三墾、西門康、西門子、eupec、IR，IXYS，日立等快速熔斷器，電解電容,大制動電阻。 英飛凌IGBT型號： H橋（4單元） F4-25R12NS4 F4-50R12KS4 F4-50R12MS4 F4-75R12KS4 F4-75R12MS4 F4-100R12KS4 F4-150R12KS4 F4-400R12KS4_B2 F4-150R12KS4 F4-100R12KS4
