制冷型光電探測器
特點:
自主封裝
可封裝InGaAs雪崩光電探測器也可封裝SI雪崩光電探測器
帶尾纖輸出
應用:
傳感
測量
測距
環境惡劣的工作場所
光電特性:
參 數 小值 典型值 較大值
響應光譜(nm)(InGaAs光電探測器) 1000 1700
響應光譜(nm)(SI光電探測器) 400 1100
響應度(A/W) λ = 1300nm(InGaAs光電探測器) 8
λ = 850nm(SI光電探測器) 60
工作電壓(V) InGaAs光電探測器 40 60
SI光電探測器 120 200
TEC工作電壓(V) 3 5
TEC工作電流(A) 0 2
工作溫度(℃) -40 70
帶寬(-3dB)(加了前置放大后) 200MHZ
封裝形式 蝶形8PIN
熱敏電阻類型 NTC10K/25℃
加前置放大 可選擇
note:圖片僅供參考,尺寸以實物為準,具體性能指標見每支器件參數