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擴(kuò)散爐是半導(dǎo)體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。
擴(kuò)散爐有垂直擴(kuò)散爐（vertical）和水平擴(kuò)散爐（horizontal）兩種類(lèi)型。
垂直擴(kuò)散爐是石英舟垂直于水平面，更加有利于機(jī)械手傳送硅片，片內(nèi)工藝參數(shù)一致性更好。
水平擴(kuò)散爐是石英舟平行于水平面，一臺(tái)可以4個(gè)或4個(gè)以上的工藝爐管，平均爐管占地面積更小，片間的工藝參數(shù)較垂直擴(kuò)散爐更好
擴(kuò)散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。
擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。
新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響小。
氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。
氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。
