主要特性與技術指標
•用于晶片摻雜的C-V測量
•變容二極管的C-V表征和分類。
•射頻混頻器和轉換二極管的電容測試。
•通過進廠檢驗的應用直流偏置測試電容器。
•測量時間:10ms/20ms/30ms
•測量精度:0.1%(20ms)
•內部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可編程掃描
•測量范圍:0.00001pF至1280pF
主要特性與技術指標
•用于晶片摻雜的C-V測量
•變容二極管的C-V表征和分類。
•射頻混頻器和轉換二極管的電容測試。
•通過進廠檢驗的應用直流偏置測試電容器。
•測量時間:10ms/20ms/30ms
•測量精度:0.1%(20ms)
•內部直流偏置:0至+/-38V,0.1%可編程掃描
•測量范圍:0.00001pF至1280pF