采用不銹鋼整體構件,擴散硅壓力壓力芯片,將固態集成工藝與隔離膜片技術相結合,擴散硅芯片被封裝在充油腔體內,并通過不銹鋼膜
片和外殼將其與測量介質隔離開來。采用溫度補償工藝,將溫度補償電阻環路制作在混合陶瓷基片上,提供范圍寬達0~70℃的溫度補償,在溫
度補償范圍內測量誤差小于0.075%。
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